中国电子科技集团（以下简称“中国电科”）今日在北京宣布，全球首条10英寸碳化硅（SiC）晶片生产线正式投产，标志着我国第三代半导体技术实现从材料、装备到工艺的全链条自主可控，彻底打破国外对8英寸以上大尺寸碳化硅晶片的技术垄断。

  此次发布的10英寸碳化硅晶片，采用中国电科2所自主研发的激光剥离技术和48所新型外延设备，攻克了晶圆翘曲度控制、掺杂浓度均匀性等世界级难题。测试多个方面数据显示，晶片厚度均匀性小于1.2%、表面致命缺陷低于0.2个/cm²，综合良率突破90%，性能指标远超国际同种类型的产品。中国电科首席科学家李明浩表示：“从6英寸到10英寸，单位芯片成本下降60%，单晶圆产出率提升120%，新能源汽车电机控制器等核心部件有望降价30%以上。”

  随着比亚迪、理想汽车等20余家有突出贡献的公司签署首批采购协议，10英寸碳化硅晶片将快速应用于新能源汽车、光伏逆变器和5G基站等领域。行业分析师指出，这项技术突破使我国碳化硅器件产能提升至全球份额的35%，预计到2026年将带动超2000亿元产业链规模。理想汽车CTO马东辉透露：“搭载国产10英寸碳化硅模块的纯电车型续航能力将突破800公里，快充时间缩短至12分钟。”

  值得关注的是，该生产线所自主研制，包含全球首台适配10英寸晶片的立式氧化炉和激光切割机。中国半导体行业协会多个方面数据显示，国产碳化硅设备市占率从2020年的不足15%跃升至目前的72%，设备交付周期较进口产品缩短6个月。

  清华大学微电子所所长魏少军指出：“10英寸碳化硅晶片的量产，标志着我国在第三代半导体领域从‘跟跑’转向‘领跑’。这项技术将重构全球功率半导体产业格局，为AI算力中心、6G通信等未来产业奠定基础。”

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  长期处于高血压状态下，心脏、大脑、肾脏等重要器官都面临着巨大的风险，心脏病、脑卒中、肾功能衰竭等严重疾病随时有可能找上门来，仿佛一颗颗定时炸弹，随时有可能引爆，给患者的生命健康带来致命一击。

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  在阅读此文之前，麻烦您点击一下“关注”，既方便您进行讨论和分享，又能给您带来不一样的参与感，感谢您的支持文、编辑小娄5月6日，中国斯诺克选手赵心童拿下了斯诺克世锦赛的冠军。这个成绩在国内是历史第一的存在，即便是之前有着“中国斯诺克第一人”称呼的丁俊晖，也只是拿过世锦赛的亚军。

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