无压烧结碳化硅陶瓷
  • 士兰微+纯洁宣告联手:方针8吋、沟槽SiC MOS
来源:爱体育app    发布时间:2025-02-24 16:00:55
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  1月9日,纯洁半导体与士兰微电子在杭州举办2024年终总结会,两边高层及研制、运营、产线人员参会。会议全面回忆了曩昔一年在研制、代工、量产和工业协同上的协作状况,并规划了2025年的协作方向。

  面向2025年,两边将深化碳化硅范畴协作,一起开发新一代碳化硅器材,如沟槽型SiC MOSFET,并推进第二代SiC MOSFET的量产。士兰微电子将为纯洁半导体供给足够的产能保证,其建造的8吋碳化硅量产线将为纯洁半导体供给独家代工服务。

  士兰微电子子公司士兰集宏的8英寸SiC功率器材芯片制作生产线年一季度封顶,四季度末开始通线年一季度试生产。

  纯洁半导体与士兰微电子的协作根据一起的愿景和战略方针,纯洁半导体在碳化硅范畴具有完好工业链布局,士兰微电子则在碳化硅器材代工方面经历比较丰富。两边的协作始于2023年4月,其时纯洁半导体完结数亿元A+轮融资,士兰微及其战略基金参加领投。此次融资标志着两边战略协作的全面实施,旨在快速推进SiC器材技能迭代,进步国产代替水平。

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