2月13日，英飞凌官网宣布，他们在8英寸SiC技术路线上取得重要进展，首批基于8英寸SiC晶圆的器件产品将于2025年第一季度交付客户。

  据悉，这一些产品在英飞凌位于奥地利菲拉赫（Villach）的工厂生产，主要面向高压应用领域，包括可再次生产的能源、铁路和电动汽车等。此外，其位于马来西亚居林（Kulim）的制造基地从6英寸晶圆向更大尺寸、更高效率的8英寸晶圆的过渡也按计划顺顺利利地进行，新建的Module 3工厂将依据市场需求启动大规模生产。

  这两座工厂通过“虚拟协同工厂”的模式紧密合作，一同推动英飞凌在SiC领域的技术进步和产能扩张，一起回顾一下这两座工厂的建设历程及发展概况：

  ▶ 奥地利菲拉赫工厂：该工厂是英飞凌的宽禁带（WBG）研发技术中心，专注于SiC和GaN技术的研发与测试。

  2018年：英飞凌收购SILTECTRA GmbH，获得Cold Split技术，明显提升了SiC晶锭切割效率，减少了材料损耗。

  2020年：菲拉赫工厂开始大规模生产SiC功率器件，成为英飞凌宽禁带技术的重要生产基地。

  2022年：英飞凌宣布将菲拉赫工厂的SiC技术同步到马来西亚居林工厂，形成“One WBG”虚拟协同工厂模式，实现技术共享和规模化生产。

  2024年：持续推进硅晶圆工厂做改造，计划将6英寸和8英寸的硅晶圆生产线转变为碳化硅和氮化镓器件的生产线。

  ▶ 马来西亚居林工厂：该工厂是英飞凌全球最大的SiC生产基地，专注于8英寸SiC晶圆的大规模生产。

  2022年2月：英飞凌宣布投资20亿欧元，在居林建造第三厂区，用于生产SiC和GaN功率半导体。

  2023年8月：英飞凌追加投资50亿欧元，扩建居林工厂，计划将其打造为全球最大的8英寸SiC晶圆厂。

  2024年6月：居林工厂第一阶段建设完成，预计2024年底开始SiC生产。

  2024年8月：居林工厂一期工程正式投产，初期以6英寸晶圆为主，计划2027年全面转向8英寸晶圆。

  2025年：居林工厂预计开始大规模量产，目标年收入达到20亿欧元（约152亿人民币）。

  英飞凌首席运营官Rutger Wijburg博士表示：“我们的SiC生产计划正在按计划推进，首批产品交付客户让我们感到自豪。通过分阶段提升菲拉赫和居林的SiC产能，我们正在提高成本效率并持续确定保证产品质量。同时，我们也在确保制造能力能够很好的满足市场对SiC功率半导体的需求。”